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BUK7212-55B,118

BUK7212-55B,118

참조 용

부품 번호 BUK7212-55B,118
PNEDA 부품 번호 BUK7212-55B-118
설명 MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK7212-55B 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7212-55B,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK7212-55B, BUK7212-55B 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 812.59 KB)
PDFBUK7212-55B 데이터 시트 표지
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  • BUK7212-55B,118 Distributor

BUK7212-55B 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs12mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs35nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2453pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)167W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 185°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

183nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3600pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

313W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

FDMS86252L

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1335pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IXTC62N15P

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

PolarHT™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS220™

패키지 / 케이스

ISOPLUS220™

NTD4959NH-1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 58A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 11.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2155pF @ 12V

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-

전력 손실 (최대)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

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10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 36.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

394nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

작동 온도

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