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BUK7275-100A,118

BUK7275-100A,118

참조 용

부품 번호 BUK7275-100A,118
PNEDA 부품 번호 BUK7275-100A-118
설명 MOSFET N-CH 100V 21.7A DPAK
제조업체 Nexperia
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK7275-100A 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK7275-100A,118
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
BUK7275-100A, BUK7275-100A 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 930.57 KB)
PDFBUK7275-100A 데이터 시트 표지
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BUK7275-100A 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)21.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs75mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1210pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)89W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

135A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

104nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5509pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PSMN0R9-30ULDX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.87mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

109nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7668pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

227W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SOT-1023, 4-LFPAK

CSD25404Q3

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

104A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.1nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2120pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.8W (Ta), 96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

NVMFS6B25NLWFT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Ta), 33A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

905pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Ta), 62W (Tc)

작동 온도

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공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

740pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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공급자 장치 패키지

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