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BUK762R9-40E/GFJ

BUK762R9-40E/GFJ

참조 용

부품 번호 BUK762R9-40E/GFJ
PNEDA 부품 번호 BUK762R9-40E-GFJ
설명 MOSFET N-CH D2PAK
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 3,870
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BUK762R9-40E/GFJ 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BUK762R9-40E/GFJ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일

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BUK762R9-40E/GFJ 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈*
트랜지스터 유형-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전력-최대-
주파수-전환-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 1A, 4V

전력-최대

25W

주파수-전환

15MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-220F

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

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ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

8A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

3V @ 2A, 8A

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

15 @ 2A, 5V

전력-최대

40W

주파수-전환

4MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

FJP5304DTU

ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 2.5A

전류-수집기 차단 (최대)

250mA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

8 @ 2A, 5V

전력-최대

70W

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

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TO-220-3

2SD14990P

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2V @ 300mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 1A, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

20MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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