BUK953R2-40E,127
참조 용
| 부품 번호 | BUK953R2-40E,127 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK953R2-40E-127 |
| 설명 | MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,520 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK953R2-40E 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK953R2-40E,127 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK953R2-40E 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 69.5nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9150pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 234W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 38mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 700pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 45W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.5nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 479pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI3333-8 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.2nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 10V FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 1.25W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT5 패키지 / 케이스 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5.5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 400W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247AD (IXFH) 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 N-Channel 기술 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 60A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 12mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1500pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 Die 패키지 / 케이스 Die |
