BUK9623-75A,118
참조 용
| 부품 번호 | BUK9623-75A,118 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK9623-75A-118 |
| 설명 | MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,898 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK9623-75A 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK9623-75A,118 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK9623-75A 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 75V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 53A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3120pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 138W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSIV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 12.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 PowerMESH™ II FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 800mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 70W (Tc) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 190mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12Ohm @ 190mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6.1nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 104pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT89 패키지 / 케이스 TO-243AA |
제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 320mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92-3 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 43mOhm @ 4.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 950mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TSMT6 (SC-95) 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
