BUK966R5-60E,118
참조 용
| 부품 번호 | BUK966R5-60E,118 |
| PNEDA 부품 번호 | BUK966R5-60E-118 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 40,008 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK966R5-60E 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK966R5-60E,118 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK966R5-60E 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 48nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6900pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 182W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 44.2nC @ 5V Vgs (최대) ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3965pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1085pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 114W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 8 x 8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 89A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.4mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 45nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2712pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 117W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSII FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 240mOhm @ 650mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 137pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 500mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 UFM 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1725pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 99W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
