BUK9875-100A/CUX
참조 용
| 부품 번호 | BUK9875-100A/CUX |
| PNEDA 부품 번호 | BUK9875-100A-CUX |
| 설명 | MOSFET N-CH 100V 7A SOT223 |
| 제조업체 | Nexperia |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 265,524 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BUK9875-100A/CUX 리소스
| 브랜드 | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BUK9875-100A/CUX |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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BUK9875-100A/CUX 사양
| 제조업체 | Nexperia USA Inc. |
| 시리즈 | TrenchMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 7A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 8A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| Vgs (최대) | ±10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1690pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 8W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SC-73 |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ C7 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 7.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 390µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1500pF @ 400V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 32W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220 Full Pack 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 16V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.66A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.2nC @ 4.5V Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 528pF @ 12.8V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 16µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 370pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 47W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 공급자 장치 패키지 - 패키지 / 케이스 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 37.5A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 75nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5635pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
