BULB903EDT4
참조 용
| 부품 번호 | BULB903EDT4 |
| PNEDA 부품 번호 | BULB903EDT4 |
| 설명 | TRANS NPN |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,448 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 22 - 3월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BULB903EDT4 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BULB903EDT4 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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BULB903EDT4 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 55V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.1V @ 200µA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대) 50nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10000 @ 200mA, 5V 전력-최대 625mW 주파수-전환 150MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 220mV @ 200mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 2V 전력-최대 800mW 주파수-전환 120MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 1.2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 160V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 700mV @ 200mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 160 @ 300mA, 5V 전력-최대 1.2W 주파수-전환 155MHz 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-126-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전류-수집기 (Ic) (최대) 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대) 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 1A, 2V 전력-최대 25W 주파수-전환 3MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-225AA, TO-126-3 공급자 장치 패키지 TO-225AA |
