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BYV25FB-600,118

BYV25FB-600,118

참조 용

부품 번호 BYV25FB-600,118
PNEDA 부품 번호 BYV25FB-600-118
설명 DIODE GEN PURP 600V 5A D2PAK
제조업체 WeEn Semiconductors
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYV25FB-600 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYV25FB-600,118
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYV25FB-600, BYV25FB-600 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 245.2 KB)
PDFBYV25FB-600 데이터 시트 표지
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  • BYV25FB-600,118 Distributor

BYV25FB-600 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.9V @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK
작동 온도-접합150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

810mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

92pF @ 5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

0.47V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

530pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

L-FLAT™

공급자 장치 패키지

L-FLAT™ (4x5.5)

작동 온도-접합

-40°C ~ 125°C

BAS16TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

75V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 75V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

RS1DB-13-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMB

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

GIB1402HE3/45

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

975mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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