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BYV29X-600,127

BYV29X-600,127

참조 용

부품 번호 BYV29X-600,127
PNEDA 부품 번호 BYV29X-600-127
설명 DIODE GEN PURP 600V 9A TO220F
제조업체 WeEn Semiconductors
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYV29X-600 리소스

브랜드 WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYV29X-600,127
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
BYV29X-600, BYV29X-600 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 354.35 KB)
PDFBYV29X-600 데이터 시트 표지
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BYV29X-600 사양

제조업체WeEn Semiconductors
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)9A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.26V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)60ns
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지TO-220FP
작동 온도-접합150°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

NGTD17R120F2WP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 35A

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

작동 온도-접합

175°C (Max)

B350B-E3/52T

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

660mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

MA3X74800L

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 500mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

Mini3-G1

작동 온도-접합

125°C (Max)

FR85B05

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 85A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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