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BYW27-200GPHE3/73

BYW27-200GPHE3/73

참조 용

부품 번호 BYW27-200GPHE3/73
PNEDA 부품 번호 BYW27-200GPHE3-73
설명 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 7,416
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BYW27-200GPHE3/73 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BYW27-200GPHE3/73
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
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  • BYW27-200GPHE3/73 Distributor

BYW27-200GPHE3/73 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)200V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 1A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)3µs
전류-역방향 누설 @ Vr200nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

370mV @ 1mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

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전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

200pF @ 4V, 1MHz

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

작동 온도-접합

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Taiwan Semiconductor Corporation

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 45V

커패시턴스 @ Vr, F

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