BYW86TAP
참조 용
| 부품 번호 | BYW86TAP |
| PNEDA 부품 번호 | BYW86TAP |
| 설명 | DIODE AVALANCHE 1KV 3A SOD64 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 40,818 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BYW86TAP 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BYW86TAP |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 정류기-싱글 |
| 데이터 시트 |
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BYW86TAP 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 다이오드 유형 | Avalanche |
| 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) | 1000V |
| 전류-평균 정류 (Io) | 3A |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 3A |
| 속도 | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| 역 복구 시간 (trr) | 7.5µs |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 1µA @ 800V |
| 커패시턴스 @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | SOD-64, Axial |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-64 |
| 작동 온도-접합 | -55°C ~ 175°C |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 200V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 875mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 35ns 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합 -65°C ~ 175°C |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 560mV @ 1A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 30µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOD-123F 공급자 장치 패키지 SOD-123FL 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 다이오드 유형 Schottky 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 40V 전류-평균 정류 (Io) 4A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 440mV @ 4A 속도 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) - 전류-역방향 누설 @ Vr 500µA @ 40V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-214AB, SMC 공급자 장치 패키지 DO-214AB (SMC) 작동 온도-접합 -55°C ~ 125°C |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 100V 전류-평균 정류 (Io) 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 1A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 1.8µs 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 100V 커패시턴스 @ Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-219AB 공급자 장치 패키지 Sub SMA 작동 온도-접합 -55°C ~ 175°C |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - 다이오드 유형 Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대) 1000V 전류-평균 정류 (Io) 1000A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.42V @ 3140A 속도 Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr) 10µs 전류-역방향 누설 @ Vr 50mA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 DO-200AB, B-PUK 공급자 장치 패키지 DO-200AB, B-PUK 작동 온도-접합 - |
