BZD27C3V9P-E3-08
참조 용
| 부품 번호 | BZD27C3V9P-E3-08 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | BZD27C3V9P-E3-08 | ||||||||||||||||||
| 설명 | DIODE ZENER 800MW SMF DO219 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 32,819 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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BZD27C3V9P-E3-08 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZD27C3V9P-E3-08 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZD27C3V9P-E3-08 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 3.9V |
| 공차 | - |
| 전력-최대 | 800mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 8 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 50µA @ 1V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 200mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 175°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지 | DO-219AB (SMF) |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/435 전압-제너 (Nom) (Vz) 5.1V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 1.5 kOhms 전류-역방향 누설 @ Vr 5µA @ 3V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AA 공급자 장치 패키지 DO-213AA |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 51V 공차 ±2% 전력-최대 2W 임피던스 (최대) (Zzt) 48 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 38.8V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 8.2V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 8 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AB, MELF 공급자 장치 패키지 DO-213AB |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) - 공차 - 전력-최대 - 임피던스 (최대) (Zzt) - 전류-역방향 누설 @ Vr - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
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