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BZD27C7V5P M2G

BZD27C7V5P M2G

참조 용

부품 번호 BZD27C7V5P M2G
PNEDA 부품 번호 BZD27C7V5P-M2G
설명 DIODE ZENER 7.45V 1W SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 4,842
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예상 배송 10월 2 - 10월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZD27C7V5P M2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZD27C7V5P M2G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZD27C7V5P M2G, BZD27C7V5P M2G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 188.73 KB)
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BZD27C7V5P M2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)7.45V
공차±6.04%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50µA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA

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제조업체

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공차

±7%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

CDS5524CUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

JAN1N6314US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

1N988B

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

130V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.1 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 98.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AA, DO-7, Axial

공급자 장치 패키지

DO-7

MMSZ2V4T1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123

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