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BZD27C8V2P M2G

BZD27C8V2P M2G

참조 용

부품 번호 BZD27C8V2P M2G
PNEDA 부품 번호 BZD27C8V2P-M2G
설명 DIODE ZENER 8.2V 1W SUB SMA
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 8,514
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예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZD27C8V2P M2G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZD27C8V2P M2G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZD27C8V2P M2G, BZD27C8V2P M2G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 188.73 KB)
PDFBZD27C9V1P RUG 데이터 시트 표지
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BZD27C8V2P M2G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)8.2V
공차±6.09%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)2 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 3V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-219AB
공급자 장치 패키지Sub SMA

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3.9V

공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

CDLL4925

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

8.2V

공차

±6%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

3 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

2EZ6.8D5/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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