BZD27C9V1PHR3G
참조 용
| 부품 번호 | BZD27C9V1PHR3G |
| PNEDA 부품 번호 | BZD27C9V1PHR3G |
| 설명 | DIODE ZENER 9.05V 1W SUB SMA |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,796 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZD27C9V1PHR3G 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZD27C9V1PHR3G |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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BZD27C9V1PHR3G 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101 |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 9.05V |
| 공차 | ±6.07% |
| 전력-최대 | 1W |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 4 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 10µA @ 5V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1.2V @ 200mA |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | DO-219AB |
| 공급자 장치 패키지 | Sub SMA |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 56V 공차 ±5% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 200 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 50nA @ 39.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 100mA 작동 온도 -65°C ~ 200°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/356 전압-제너 (Nom) (Vz) 11V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 2.5 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 8.4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 E-MELF 공급자 장치 패키지 D-5B |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 3.27V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 120 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 20µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AG, DO-34, Axial 공급자 장치 패키지 DO-34 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±2% 전력-최대 300mW 임피던스 (최대) (Zzt) 10 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.1V @ 100mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 SMT3; MPAK |
