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BZG05B12-HE3-TR3

BZG05B12-HE3-TR3

참조 용

부품 번호 BZG05B12-HE3-TR3
PNEDA 부품 번호 BZG05B12-HE3-TR3
설명 DIODE ZENER 12V 1.25W DO214AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 2,574
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZG05B12-HE3-TR3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZG05B12-HE3-TR3
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZG05B12-HE3-TR3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)12V
공차±2%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)9 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 9.1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC

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전압-제너 (Nom) (Vz)

82V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

800 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 62.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

BZX585B13 RKG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

90nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/437

전압-제너 (Nom) (Vz)

10V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

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제조업체

Micro Commercial Co

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.6V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

24 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

15µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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