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BZG05C3V9-HE3-TR3

BZG05C3V9-HE3-TR3

참조 용

부품 번호 BZG05C3V9-HE3-TR3
PNEDA 부품 번호 BZG05C3V9-HE3-TR3
설명 DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZG05C3V9-HE3-TR3 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZG05C3V9-HE3-TR3
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZG05C3V9-HE3-TR3 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)3.9V
공차±5%
전력-최대1.25W
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지DO-214AC

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전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

SMAZ5929B-M3/5A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

1N5243B SEL01 TR

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

13 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 9.9V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

1N5998UR

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

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