BZT52B5V1-E3-18
참조 용
| 부품 번호 | BZT52B5V1-E3-18 |
| PNEDA 부품 번호 | BZT52B5V1-E3-18 |
| 설명 | DIODE ZENER 5.1V 410MW SOD123 |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,722 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZT52B5V1-E3-18 리소스
| 브랜드 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZT52B5V1-E3-18 |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
| 데이터 시트 |
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BZT52B5V1-E3-18 사양
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 5.1V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 410mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 30 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 100nA @ 800mV |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123 |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-123 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 100V 공차 ±5% 전력-최대 3W 임피던스 (최대) (Zzt) 160 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 76V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 6.2V 공차 ±2% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 10 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 100nA @ 2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1V @ 100mA 작동 온도 -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지 Mini MELF |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 12V 공차 ±5% 전력-최대 1.85W 임피던스 (최대) (Zzt) 2.5 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 9.1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지 SOD-64 |
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 100V 공차 ±5% 전력-최대 1.3W 임피던스 (최대) (Zzt) 350 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 500nA @ 75V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If - 작동 온도 -55°C ~ 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-41 |
