BZT52B8V2S RRG
참조 용
| 부품 번호 | BZT52B8V2S RRG |
| PNEDA 부품 번호 | BZT52B8V2S-RRG |
| 설명 | DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323F |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,932 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZT52B8V2S RRG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZT52B8V2S RRG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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BZT52B8V2S RRG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 8.2V |
| 공차 | ±2% |
| 전력-최대 | 200mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 15 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 630nA @ 5V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 1V @ 10mA |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SC-90, SOD-323F |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-323F |
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제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈 Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz) 3.9V 공차 ±1% 전력-최대 500mW 임피던스 (최대) (Zzt) 85 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 200mA 작동 온도 175°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지 DO-35 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 전압-제너 (Nom) (Vz) 120V 공차 ±2% 전력-최대 1.5W 임피던스 (최대) (Zzt) 380 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 1µA @ 91.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.2V @ 200mA 작동 온도 -65°C ~ 150°C 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 DO-204AL, DO-41, Axial 공급자 장치 패키지 DO-204AL (DO-41) |
