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BZT52C13-7-G

BZT52C13-7-G

참조 용

부품 번호 BZT52C13-7-G
PNEDA 부품 번호 BZT52C13-7-G
설명 DIODE ZENER
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 2,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C13-7-G 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C13-7-G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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  • BZT52C13-7-G Distributor

BZT52C13-7-G 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

84 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

4.5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

SMBJ5915BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

7.5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

SMBJ (DO-214AA)

JAN1N4988C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/356

전압-제너 (Nom) (Vz)

180V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 136.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

E, Axial

공급자 장치 패키지

E, Axial

1PMT4105C/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 8.44V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

CDLL5929D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±1%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 11.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

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