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BZT52C30K RKG

BZT52C30K RKG

참조 용

부품 번호 BZT52C30K RKG
PNEDA 부품 번호 BZT52C30K-RKG
설명 DIODE ZENER 30V 200MW SOD523F
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,048
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 10월 8 - 10월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C30K RKG 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C30K RKG
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZT52C30K RKG 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)30V
공차±5%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-79, SOD-523
공급자 장치 패키지SOD-523F

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.4 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

1N5241B (DO-35)

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZV55-B11,115

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

LLDS; MiniMelf

JAN1N4464C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

300nA @ 5.46V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

SMBJ4752CE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±2%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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