BZT52C4V7-G RHG
참조 용
| 부품 번호 | BZT52C4V7-G RHG |
| PNEDA 부품 번호 | BZT52C4V7-G-RHG |
| 설명 | DIODE ZENER 4.7V 350MW SOD123 |
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,776 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BZT52C4V7-G RHG 리소스
| 브랜드 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BZT52C4V7-G RHG |
| 분류 | 반도체 › 다이오드 및 정류기 › 제너 다이오드-단일 |
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BZT52C4V7-G RHG 사양
| 제조업체 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 시리즈 | - |
| 전압-제너 (Nom) (Vz) | 4.7V |
| 공차 | ±5% |
| 전력-최대 | 350mW |
| 임피던스 (최대) (Zzt) | 80 Ohms |
| 전류-역방향 누설 @ Vr | 3µA @ 2V |
| 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If | 900mV @ 10mA |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOD-123 |
| 공급자 장치 패키지 | SOD-123 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/356 전압-제너 (Nom) (Vz) 13V 공차 ±5% 전력-최대 5W 임피던스 (최대) (Zzt) 3 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr 10µA @ 9.9V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If 1.5V @ 1A 작동 온도 -65°C ~ 175°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 E-MELF 공급자 장치 패키지 D-5B |
