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BZT52C4V7S-TP

BZT52C4V7S-TP

참조 용

부품 번호 BZT52C4V7S-TP
PNEDA 부품 번호 BZT52C4V7S-TP
설명 DIODE ZENER 4.7V 200MW SOD323
제조업체 Micro Commercial Co
단가 견적 요청
재고 있음 3,834
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 21 - 12월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZT52C4V7S-TP 리소스

브랜드 Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZT52C4V7S-TP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZT52C4V7S-TP, BZT52C4V7S-TP 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 341.82 KB)
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  • BZT52C4V7S-TP Distributor

BZT52C4V7S-TP 사양

제조업체Micro Commercial Co
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±6%
전력-최대200mW
임피던스 (최대) (Zzt)80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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공차

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전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

JAN1N6312D

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

27 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

B, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

PZU3.9B2L,315

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±2%

전력-최대

250mW

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-882

공급자 장치 패키지

DFN1006-2

JANTX1N6328US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

15V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

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