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BZV55B4V7 L0G

BZV55B4V7 L0G

참조 용

부품 번호 BZV55B4V7 L0G
PNEDA 부품 번호 BZV55B4V7-L0G
설명 DIODE ZENER 4.7V 500MW MINI MELF
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가
1 ---------- $0.6680
500 ---------- $0.6367
1,000 ---------- $0.6054
2,500 ---------- $0.5741
5,000 ---------- $0.5480
10,000 ---------- $0.5219
재고 있음 194,654
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예상 배송 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택)
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BZV55B4V7 L0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZV55B4V7 L0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZV55B4V7 L0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±2%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)60 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지Mini MELF

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20V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

12 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 16V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123F

공급자 장치 패키지

SOD-123F

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

25V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 19V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

22 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

NZH20C,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

28 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

40nA @ 15V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

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SOD-123F

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