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BZV55C22 L0G

BZV55C22 L0G

참조 용

부품 번호 BZV55C22 L0G
PNEDA 부품 번호 BZV55C22-L0G
설명 DIODE ZENER 22V 500MW MINI MELF
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,624
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 16 - 6월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZV55C22 L0G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZV55C22 L0G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZV55C22 L0G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)22V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)55 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 16V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지Mini MELF

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전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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전압-제너 (Nom) (Vz)

75V

공차

±2%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

175 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 52.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-110

공급자 장치 패키지

SOD110

BZX85C5V1 R0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

1.3W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

1N5937A G

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±10%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

33 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

2 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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