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BZV55C9V1 L1G

BZV55C9V1 L1G

참조 용

부품 번호 BZV55C9V1 L1G
PNEDA 부품 번호 BZV55C9V1-L1G
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW MINI MELF
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 7,218
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 6 - 4월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZV55C9V1 L1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZV55C9V1 L1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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BZV55C9V1 L1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 6.8V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1V @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지Mini MELF

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

94 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

18µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

SOD-323F

DDZ12BQ-7

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

12V

공차

±2%

전력-최대

370mW

임피던스 (최대) (Zzt)

12 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1N3826AUR-1

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

1N5239BTA

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 6.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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BZT55C22-GS08

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

55 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 16V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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