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BZX55C2V7_T50A

BZX55C2V7_T50A

참조 용

부품 번호 BZX55C2V7_T50A
PNEDA 부품 번호 BZX55C2V7_T50A
설명 DIODE ZENER 2.7V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX55C2V7_T50A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX55C2V7_T50A
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZX55C2V7_T50A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)2.7V
공차±7%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)85 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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-

전력-최대

800mW

임피던스 (최대) (Zzt)

45 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 36V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

DO-219AB (SMF)

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

179.5V

공차

±6.4%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

450 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 130V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

1N5385CE3/TR12

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

170V

공차

±2%

전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

380 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 122V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

T-18, Axial

공급자 장치 패키지

T-18

PTV15B-M3/84A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

전압-제너 (Nom) (Vz)

15.6V

공차

±6%

전력-최대

600mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 11V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-220AA

공급자 장치 패키지

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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