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BZX55C3V9-TAP

BZX55C3V9-TAP

참조 용

부품 번호 BZX55C3V9-TAP
PNEDA 부품 번호 BZX55C3V9-TAP
설명 DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $10.6360
100 ---------- $10.1375
250 ---------- $9.6389
500 ---------- $9.1403
750 ---------- $8.7249
1,000 ---------- $8.3094
재고 있음 157,100
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX55C3V9-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX55C3V9-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZX55C3V9-TAP, BZX55C3V9-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 107.15 KB)
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  • BZX55C3V9-TAP Distributor

BZX55C3V9-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)3.9V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)85 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

관심을 가질만한 제품

BZD27C68PHMHG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

68V

공차

±5.88%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 51V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZX384C5V6-E3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

40 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

ZPY36-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±5%

전력-최대

1.3W

임피던스 (최대) (Zzt)

25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

BZD27C160P MTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

162V

공차

±5.55%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

350 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 120V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

1N5948BE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

91V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 69.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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