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BZX55C8V2-TAP

BZX55C8V2-TAP

참조 용

부품 번호 BZX55C8V2-TAP
PNEDA 부품 번호 BZX55C8V2-TAP
설명 DIODE ZENER 8.2V 500MW DO35
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $27.6438
100 ---------- $26.3480
250 ---------- $25.0522
500 ---------- $23.7564
750 ---------- $22.6765
1,000 ---------- $21.5967
재고 있음 37,731
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX55C8V2-TAP 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX55C8V2-TAP
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZX55C8V2-TAP, BZX55C8V2-TAP 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 107.15 KB)
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  • BZX55C8V2-TAP Distributor

BZX55C8V2-TAP 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)8.2V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)7 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 6.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±8%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MMBZ4618-HE3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.5 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MMBZ5243B-7-G

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BZT52C3V9-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±5%

전력-최대

410mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

BZG05C9V1-E3-TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

5 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 6.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

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