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BZX55C9V1_T50R

BZX55C9V1_T50R

참조 용

부품 번호 BZX55C9V1_T50R
PNEDA 부품 번호 BZX55C9V1_T50R
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX55C9V1_T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX55C9V1_T50R
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZX55C9V1_T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±6%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.3V @ 100mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

BZG05B-M

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±2%

전력-최대

1.25W

임피던스 (최대) (Zzt)

90 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 36V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMA)

JANTXV1N4118D-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

27V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 20.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

BZD27C75P RTG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

74.5V

공차

±6.04%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 56V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

BZT52C13S-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

13V

공차

±6%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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