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BZX84B8V2-HE3-18

BZX84B8V2-HE3-18

참조 용

부품 번호 BZX84B8V2-HE3-18
PNEDA 부품 번호 BZX84B8V2-HE3-18
설명 DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23-3
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 8,532
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 3 - 12월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX84B8V2-HE3-18 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX84B8V2-HE3-18
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZX84B8V2-HE3-18 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)8.2V
공차±2%
전력-최대300mW
임피던스 (최대) (Zzt)15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr700nA @ 5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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공차

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전력-최대

5W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 25.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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MMBZ4617-E3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±5%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

1.4 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

1N4758PE3/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

56V

공차

±10%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

110 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 42.6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

MMSZ4700T1

ON Semiconductor

제조업체

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

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전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 9.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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