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BZX84C5V1ET1G

BZX84C5V1ET1G

참조 용

부품 번호 BZX84C5V1ET1G
PNEDA 부품 번호 BZX84C5V1ET1G
설명 DIODE ZENER 5.1V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
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BZX84C5V1ET1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX84C5V1ET1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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BZX84C5V1ET1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)5.1V
공차±6%
전력-최대225mW
임피던스 (최대) (Zzt)60 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

6.8V

공차

±5.88%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-523

공급자 장치 패키지

SOT-523

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전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.7V

공차

±6%

전력-최대

300mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BZX84C3V3W-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±6%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

SOT-323

BZD27C16P RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

16.2V

공차

±5.55%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

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