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BZX85C12-TR

BZX85C12-TR

참조 용

부품 번호 BZX85C12-TR
PNEDA 부품 번호 BZX85C12-TR
설명 DIODE ZENER 12V 1.3W DO41
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 198,780
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BZX85C12-TR 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX85C12-TR
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZX85C12-TR, BZX85C12-TR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 101.97 KB)
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BZX85C12-TR 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)12V
공차±5%
전력-최대1.3W
임피던스 (최대) (Zzt)9 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr500nA @ 9.1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-41

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공차

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전력-최대

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임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

55µA @ 700mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

16V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 12V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

JANTX1N753CUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

6.2V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

3EZ11DE3/TR12

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

11V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 8.4V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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