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BZX884-C22,315

BZX884-C22,315

참조 용

부품 번호 BZX884-C22,315
PNEDA 부품 번호 BZX884-C22-315
설명 DIODE ZENER 22V 250MW SOD882
제조업체 Nexperia
단가
1 ---------- $0.9201
500 ---------- $0.8769
1,000 ---------- $0.8338
2,500 ---------- $0.7907
5,000 ---------- $0.7547
10,000 ---------- $0.7188
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BZX884-C22 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BZX884-C22,315
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
BZX884-C22, BZX884-C22 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 175.26 KB)
PDFBZX884-C4V3 데이터 시트 표지
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BZX884-C22 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)22V
공차±5%
전력-최대250mW
임피던스 (최대) (Zzt)55 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr50nA @ 15.4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-882
공급자 장치 패키지DFN1006-2

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JAN1N977C-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

47V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

105 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 36V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35 (DO-204AH)

TZX9V1E-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

-

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 6.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JAN1N3028DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/115

전압-제너 (Nom) (Vz)

22V

공차

±1%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

23 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 16.7V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB (MELF, LL41)

JAN1N752DUR-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/127

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.6V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

11 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

BZT55B4V3 L1G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

75 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

Mini MELF

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