C3M0065090D
참조 용
| 부품 번호 | C3M0065090D |
| PNEDA 부품 번호 | C3M0065090D |
| 설명 | MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3 |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 75,426 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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C3M0065090D 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | C3M0065090D |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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C3M0065090D 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | C3M™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 30.4nC @ 15V |
| Vgs (최대) | +18V, -8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 660pF @ 600V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-247-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 65W (Tc) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 MP-3A 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
