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C3M0065090D

C3M0065090D C3M0065090D

참조 용

부품 번호 C3M0065090D
PNEDA 부품 번호 C3M0065090D
설명 MOSFET N-CH 900V 36A TO247-3
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
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예상 배송 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

C3M0065090D 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호C3M0065090D
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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C3M0065090D 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈C3M™
FET 유형N-Channel
기술SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss)900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs78mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs30.4nC @ 15V
Vgs (최대)+18V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds660pF @ 600V
FET 기능-
전력 손실 (최대)125W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-247-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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Renesas Electronics America

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

65W (Tc)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1781pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

37A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 35µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1900pF @ 60V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

66W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FQPF12N60CT

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

51W (Tc)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 480V

FET 기능

-

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65W (Tc)

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