C3M0065090J-TR
참조 용
| 부품 번호 | C3M0065090J-TR |
| PNEDA 부품 번호 | C3M0065090J-TR |
| 설명 | MOSFET N-CH 900V 35A D2PAK-7 |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,796 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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C3M0065090J-TR 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | C3M0065090J-TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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C3M0065090J-TR 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | C3M™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.1V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 15V |
| Vgs (최대) | +19V, -8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 660pF @ 600V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 113W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK-7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 3.7A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.7V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 175pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 20W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 CPT3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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