C3M0065100J-TR
참조 용
| 부품 번호 | C3M0065100J-TR |
| PNEDA 부품 번호 | C3M0065100J-TR |
| 설명 | 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,372 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 8 - 4월 13 (신속 배송 선택) |
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C3M0065100J-TR 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | C3M0065100J-TR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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C3M0065100J-TR 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | C3M™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 78mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 15V |
| Vgs (최대) | +15V, -4V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 660pF @ 600V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 113.5W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263-7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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