C3M0075120J
참조 용
| 부품 번호 | C3M0075120J |
| PNEDA 부품 번호 | C3M0075120J |
| 설명 | MOSFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 20,364 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 2 - 2월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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C3M0075120J 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | C3M0075120J |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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C3M0075120J 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | C3M™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 51nC @ 15V |
| Vgs (최대) | +19V, -8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1350pF @ 1000V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 113.6W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK-7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarHT™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 200mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 102nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5800pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 208W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 ISOPLUS247™ 패키지 / 케이스 ISOPLUS247™ |
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