C3M0280090J
참조 용
| 부품 번호 | C3M0280090J |
| PNEDA 부품 번호 | C3M0280090J |
| 설명 | MOSFET N-CH 900V 11A |
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 16,776 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 15 - 2월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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C3M0280090J 리소스
| 브랜드 | Cree/Wolfspeed |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | C3M0280090J |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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C3M0280090J 사양
| 제조업체 | Cree/Wolfspeed |
| 시리즈 | C3M™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 900V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 15V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 7.5A, 15V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
| Vgs (최대) | +18V, -8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 150pF @ 600V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 50W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D2PAK-7 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
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제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 45.8nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1738pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 166W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.1mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 5V Vgs (최대) 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2000pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Renesas Electronics America Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 5.5V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 3.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 12A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 800mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 3.5V Vgs (최대) ±5.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 940pF @ 5.5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-WLCSP (1.47x1.47) 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 31nC @ 5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
