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CAS100H12AM1

CAS100H12AM1

참조 용

부품 번호 CAS100H12AM1
PNEDA 부품 번호 CAS100H12AM1
설명 MOSFET 2N-CH 1200V 168A MODULE
제조업체 Cree/Wolfspeed
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재고 있음 3,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 24 - 4월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAS100H12AM1 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAS100H12AM1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
CAS100H12AM1, CAS100H12AM1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 1,209.99 KB)
PDFCAS100H12AM1 데이터 시트 표지
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CAS100H12AM1 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈Z-FET™
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)168A
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id3.1V @ 50mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9500pF @ 800V
전력-최대568W
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD (5 Leads), Flat Lead

공급자 장치 패키지

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA, 420mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 590mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

DMN1250UFEL-7

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

8 N-Channel, Common Gate, Common Source

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 6V

전력-최대

660mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-UFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-QFN1515-12

DMN61D8LVT-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.74nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12.9pF @ 12V

전력-최대

820mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

TSOT-26

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

710pF @ 15V

전력-최대

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