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CAT24C512C8UTR

CAT24C512C8UTR

참조 용

부품 번호 CAT24C512C8UTR
PNEDA 부품 번호 CAT24C512C8UTR
설명 512KB I2C SER EEPROM CSP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAT24C512C8UTR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAT24C512C8UTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
CAT24C512C8UTR, CAT24C512C8UTR 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 94 KB)
PDFCAT24C512C8UTR 데이터 시트 표지
CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 2 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 3 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 4 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 5 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 6 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 7 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 8 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 9 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 10 CAT24C512C8UTR 데이터 시트 페이지 11

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CAT24C512C8UTR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술-
메모리 크기512Kb (64K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수1MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간400ns
전압-공급1.8V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지8-WLCSP (1.39x1.65)

관심을 가질만한 제품

70V9099L12PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Synchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

FM24CL64B-G

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

F-RAM™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FRAM

기술

FRAM (Ferroelectric RAM)

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

550ns

전압-공급

2.7V ~ 3.65V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

메모리 크기

4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DS1245YP-100

Maxim Integrated

제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-PowerCap™ Module

공급자 장치 패키지

34-PowerCap Module

MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NAND

메모리 크기

32Gb (4G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

83MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-VBGA

공급자 장치 패키지

100-VBGA (12x18)

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