CAT25512HU5I-GT3
참조 용
| 부품 번호 | CAT25512HU5I-GT3 |
| PNEDA 부품 번호 | CAT25512HU5I-GT3 |
| 설명 | IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8UDFN |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,078 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 21 - 4월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CAT25512HU5I-GT3 리소스
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CAT25512HU5I-GT3 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | EEPROM |
| 기술 | EEPROM |
| 메모리 크기 | 512Kb (64K x 8) |
| 메모리 인터페이스 | SPI |
| 시계 주파수 | 20MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 5ms |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 1.8V ~ 5.5V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-UFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-UDFN (2x3) |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 DRAM 메모리 크기 576Mb (32M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 15ns 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 95°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 144-TFBGA 공급자 장치 패키지 144-FBGA (18.5x11) |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Asynchronous 메모리 크기 16Kb (2K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 90ns 접근 시간 90ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 24-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 24-CDIP |
제조업체 IDT, Integrated Device Technology Inc 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Dual Port, Asynchronous 메모리 크기 512Kb (32K x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 25ns 전압-공급 4.5V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 100-LQFP 공급자 장치 패키지 100-TQFP (14x14) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 Automotive, AEC-Q100 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스 - 시계 주파수 2.133GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 - 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
