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CDBB120-G

CDBB120-G

참조 용

부품 번호 CDBB120-G
PNEDA 부품 번호 CDBB120-G
설명 DIODE SCHOTTKY 20V 1A DO214AA
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
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CDBB120-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CDBB120-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
CDBB120-G, CDBB120-G 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 45.05 KB)
PDFCDBB180-G 데이터 시트 표지
CDBB180-G 데이터 시트 페이지 2

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CDBB120-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)20V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If500mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 20V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합125°C (Max)

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전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

500mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

300ns

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Powerex Inc.

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

400A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 400A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

25mA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

11A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

155pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-220-2

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

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1.5A

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1.4V @ 1.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

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