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CDBB3100-G

CDBB3100-G

참조 용

부품 번호 CDBB3100-G
PNEDA 부품 번호 CDBB3100-G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AA
제조업체 Comchip Technology
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CDBB3100-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CDBB3100-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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CDBB3100-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If850mV @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합125°C (Max)

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ON Semiconductor

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

55pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

50mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 50mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

3.9pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

60V

전류-평균 정류 (Io)

600mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 600mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 60V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

MPG06

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Rohm Semiconductor

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-

다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

20A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

1000pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

215mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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