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CDBM1100-G

CDBM1100-G

참조 용

부품 번호 CDBM1100-G
PNEDA 부품 번호 CDBM1100-G
설명 DIODE SCHOTTKY 100V 1A MINISMA
제조업체 Comchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 542,250
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CDBM1100-G 리소스

브랜드 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CDBM1100-G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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CDBM1100-G 사양

제조업체Comchip Technology
시리즈-
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If850mV @ 1A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr500µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F120pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123T
공급자 장치 패키지Mini SMA/SOD-123
작동 온도-접합-50°C ~ 150°C

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Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

100ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA, HSMB

작동 온도-접합

-50°C ~ 150°C

VS-85HFR40

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

85A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 267A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

9mA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-203AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 180°C

VS-65APF12LHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

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다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

65A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.42V @ 65A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

480ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1200V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-247AD

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

AS3PMHM3/87A

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

eSMP®

다이오드 유형

Avalanche

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

2.1A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 1.5A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

1.2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1000V

커패시턴스 @ Vr, F

37pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

90V

전류-평균 정류 (Io)

7.5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

920mV @ 7.5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 90V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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