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CE3520K3-C1

CE3520K3-C1

참조 용

부품 번호 CE3520K3-C1
PNEDA 부품 번호 CE3520K3-C1
설명 RF FET 4V 20GHZ 4MICROX
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 84,990
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CE3520K3-C1 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CE3520K3-C1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
CE3520K3-C1, CE3520K3-C1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 422.59 KB)
PDFCE3520K3 데이터 시트 표지
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CE3520K3-C1 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수20GHz
이득13.8dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)15mA
소음 수치0.8dB
현재-테스트10mA
전원-출력125mW
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-Micro-X
공급자 장치 패키지4-Micro-X

관심을 가질만한 제품

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

175MHz

이득

16dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

100µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

30W

전압-정격

170V

패키지 / 케이스

M113

공급자 장치 패키지

M113

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.3GHz

이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

SOT-1121A

공급자 장치 패키지

LDMOST

CGHV40100P

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

GaN

트랜지스터 유형

HEMT

주파수

0 ~ 4GHz

이득

11dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

8.7A

소음 수치

-

현재-테스트

600mA

전원-출력

116W

전압-정격

125V

패키지 / 케이스

440206

공급자 장치 패키지

440206

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

950mA

전원-출력

27W

전압-정격

66V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

PD55003S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

500MHz

이득

17dB

전압-테스트

12.5V

전류 정격 (Amps)

2.5A

소음 수치

-

현재-테스트

50mA

전원-출력

3W

전압-정격

40V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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G5LE-14 DC12

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TAJD227K010RNJ

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EVQ-P7C01P

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BTA10-700BRG

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