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CE3521M4

CE3521M4

참조 용

부품 번호 CE3521M4
PNEDA 부품 번호 CE3521M4
설명 RF FET 4V 20GHZ SOT343
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 21,084
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CE3521M4 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CE3521M4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
CE3521M4, CE3521M4 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 757.11 KB)
PDFCE3521M4 데이터 시트 표지
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CE3521M4 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형pHEMT FET
주파수20GHz
이득11.9dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)15mA
소음 수치1.05dB
현재-테스트10mA
전원-출력125mW
전압-정격4V
패키지 / 케이스SC-82A, SOT-343
공급자 장치 패키지4-Super Mini Mold

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소음 수치

2dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

14V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

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트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.5GHz ~ 2.69GHz

이득

14dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

200mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT1275-3

공급자 장치 패키지

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Cree/Wolfspeed

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이득

17dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

260mA

전원-출력

170W

전압-정격

150V

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

RFM01U7P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

10.8dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

1A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

1.2W

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

PW-MINI

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

718.5MHz ~ 725.5MHz

이득

20.6dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

3.4A

전원-출력

95W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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