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CEDM7002AE TR

CEDM7002AE TR

참조 용

부품 번호 CEDM7002AE TR
PNEDA 부품 번호 CEDM7002AE-TR
설명 MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883
제조업체 Central Semiconductor Corp
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재고 있음 91,944
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CEDM7002AE TR 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CEDM7002AE TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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CEDM7002AE TR 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)100mW (Ta)
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-883L
패키지 / 케이스SC-101, SOT-883

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Vishay Siliconix

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A (Ta), 208A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

167nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8900pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8DC

패키지 / 케이스

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FQPF7N10L

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 2.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

23W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

DMN30H4D0LFDE-13

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

550mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

187.3pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

630mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type E)

패키지 / 케이스

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STP75NF75FP

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제조업체

STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

160nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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