CHL8550CRT
참조 용
| 부품 번호 | CHL8550CRT |
| PNEDA 부품 번호 | CHL8550CRT |
| 설명 | IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 10DFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,110 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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CHL8550CRT 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CHL8550CRT |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
| 데이터 시트 |
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CHL8550CRT 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Half-Bridge |
| 채널 유형 | Synchronous |
| 드라이버 수 | 2 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 4.5V ~ 5.5V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 1V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 2A, 2A |
| 입력 유형 | Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | 35V |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 10ns, 8ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 10-VFDFN Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 10-DFN (3x3) |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Linear Technology/Analog Devices 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 60V (Max) 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 80V 상승 / 하강 시간 (일반) 90ns, 40ns 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-MSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 Independent 드라이버 수 2 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 200mA, 350mA 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 150ns, 50ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Allegro MicroSystems, LLC 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 3-Phase 드라이버 수 6 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 5.5V ~ 50V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 28-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지 28-TSSOP-EP |
제조업체 Linear Technology/Analog Devices 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 3V ~ 42V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 10-WFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 10-DFN (3x2) |
제조업체 Power Integrations 시리즈 SCALE™-2 구동 구성 High-Side or Low-Side 채널 유형 Single 드라이버 수 1 게이트 유형 IGBT 전압-공급 23.5V ~ 26.5V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 35A, 35A 입력 유형 - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 6500V 상승 / 하강 시간 (일반) 9ns, 30ns 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
